Шрифт:
В некоторых случаях перезаписываемый DVD, стертый процедурами очистки Windows Vista или «семерки», перестает потом распознаваться в Windows XP и даже в самих этих системах. Не спешите его выбрасывать – на самом деле диск вполне исправный, просто Windows запуталась в форматах. Рецепт преодоления этого препятствия такой: запустите Small CD Writer и очистите с его помощью диск еще раз, причем через операцию Полная очистка. Продолжаться этот процесс для DVD может довольно долго (минут пятнадцать), причем может показаться, что программа просто зависла. Тем не менее, дождитесь окончания процедуры (исчезнет окно с сообщением об идущей очистке), затем закройте Small Cd Writer, обратитесь к значку Компьютер и в контекстном меню оптического диска выберите пункт Форматировать. По умолчанию Windows отформатирует диск в системе UDF 2.1, и он станет доступен во всех системах.
Windows 7, наконец, научилась записывать диски из ISO-образов, разворачивая их содержание на «болванку», – при щелчке на файле ISO-образа вы получите предложение, показанное на рис. 4.2. Vista сама по себе этого не умеет (не говоря уж про XP), но мне с предустановленной системой Vista в ноутбуке Toshiba достался Toshiba Disk Creator, который реагировал в том числе и на файлы ISO. А вот создавать ISO-образы имеющегося диска, как мы уже говорили, никакая из Windows не может, и для этого понадобятся сторонние программы, вроде Small CD Writer или весьма навороченной (и к тому же платной, но зато умеющей абсолютно все) программы Nero Burning ROM.
Рис. 4.2. Предложение Windows 7 по записи ISO-образа
О создании некоторых специфических дисков (например, загрузочных или так называемых Live CD) мы еще поговорим в главе 8 «Установка Windows».
4.2. Флэш-карты и флэш-накопители
Первые постоянные запоминающие устройства (Read-Only Memory, ROM) не позволяли изменять однажды записанную информацию. В 1956 году сотрудник корпорации American Bosch Arma Йен Чоу (Wen Chow) получил патент на устройство, которое теперь известно, как «однократно программируемое ROM» (OTPROM). В этом патенте, между прочим, впервые был употреблен термин «прожиг» (burn) – микромодуль состоял из матрицы с плавкими перемычками, которые при программировании пережигались подачей на них большого напряжения. Любопытно, что этот способ вполне дожил до наших дней – не меньше четверти микроконтроллеров (т. е. специализированных микропроцессоров) в мире, особенно из тех, что попроще, еще лет пять назад выпускались именно с такой однократно программируемой встроенной памятью – ввиду крайней ее дешевизны. В самом деле, если программа какой-нибудь игрушки отработана на опытных образцах, зачем ее, однажды записанную, потом менять, и кто этим будет заниматься? И лишь в последние годы «прожигаемая» память стала постепенно вытесняться более удобной flash-памятью – когда последняя подешевела настолько, что смысл в использовании OTPROM почти пропал.
В 1967 году в незабвенной Bell Labs был построен первый образец EPROM – энергонезависимой памяти, которую можно было неоднократно перепрограммировать (стирая информацию ренгеном). В 1971 году (одновременно с изобретением первого микропроцессора) фирма Intel разработала первый коммерческий образец EPROM (чип 1701 и его немного усовершенствованный вариант 1702), который стирался ультрафиолетовым светом через специальное окошко и потому получил название UV-EPROM. В 1974 году в Intel пришел некто Джордж Перлегос (George Perlegos), грек по происхождению и будущий основатель компании Atmel. Под его непосредственном руководством была разработана микросхема EEPROM под названием 2816 – чисто электрически перепрограммируемое ПЗУ. Это и был прообраз сегодняшней flash-памяти. Основой и EPROM, и EEPROM стал транзистор с плавающим затвором, изобретенный в той же Intel Доном Фрохманом (Don Frohman). И в последующем, несмотря на смены технологических эпох, принцип устройства ячейки энергонезависимой памяти остался неизменным – какой бы способ стирания и записи ни использовался.
RAM (Random Access Memory) – память с произвольным доступом. На самом деле это любая память, содержимое которой уничтожается при выключении питания (в чистом виде, без приставок, сокращение RAM часто применяется для обозначения основной памяти ПК). Русское наименование: оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) – следует признать более соответствующим смыслу, т. к. термину «с произвольным доступом» соответствуют и многие типы EPROM.
DRAM (Dynamic RAM) – динамическая RAM. Так называют электронную память, которая требует постоянного восстановления (регенерации) своего содержимого даже при включенном питании. По-русски: динамическое ОЗУ или ЗУПВ (запоминающее устройство с произвольной выборкой). Хотя последнее есть фактически перевод более общего термина RAM, но применяется оно обычно к динамической ее разновидности.
SRAM (Static RAM) – статическая RAM, статическое ОЗУ. Энергозависимая память, построенная на триггерах, и потому, в отличие от DRAM, регенерации не требующая, но намного более дорогая и менее емкая в расчете на единицу площади кристалла.
ROM (Read-Only Memory) – память только для чтения. Русское название – постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) – более соответствует смыслу, т. к. термин относится ко всем видам энергонезависимой памяти, а не только к тем, что для «чтения» (т. е. и к перезаписываемым тоже – напр., к EEPROM). В чистом виде сокращение ROM употребляется редко.
PROM (Programmable ROM) – программируемое ПЗУ (ППЗУ). В чистом виде, без приставок, обычно относят к OTPROM (One Time Programmable ROM) – однократно программируемое ПЗУ. К PROM также относят такую разновидность, как масочное ПЗУ – вариант OTPROM, который программируется не самим пользователем, а прямо на фабрике в процесс изготовления.
EPROM (Erasable Programmable ROM) – стираемая/программируемая ROM. По-русски ее часто называют ПППЗУ, перепрограммируемое ПЗУ. Иногда употребляется, как синоним ультрафиолетовой UV-EPROM.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) – электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ, ЭСППЗУ.
Flash memory (от flash – вспышка, молния) – первоначально термин придуман для обозначения прогрессивной разновидности EEPROM, в которой чтение/запись для ускорения процесса производятся сразу целыми блоками. Позднее (когда медленная EEPROM почти исчезла из обращения) стал фактическим синонимом EEPROM, и теперь обозначает любые разновидности ЭСППЗУ.
Обновление информации в микросхемах EEPROM – страшно медленный процесс. Во-первых, каждую ячейку требуется сначала стереть – ведь запись, т. е. помещение на плавающий затвор зарядов тем или иным способом, лишь приводит ее в состояние «логического 0», а восстанавливать «логическую 1» приходится отдельно. Во-вторых, из-за большого потребления тока в процессе записи приходится каждую ячейку записывать фактически отдельно, а т. к. этот процесс занимал миллисекунды, то для перезаписи даже сравнительно небольших массивов требовались уже секунды. Правда, чтение из EEPROM – процесс очень быстрый, даже быстрее, чем из обычной компьютерной памяти DRAM.
Термин «flash-память» придумал в июне 1984 года некто Шойи Аризуми (Shoji Ariizumi), сотрудник корпорации Toshiba, уже после того, как его руководитель доктор Фуджио Масуока (р. 1943) послал сообщение о новом, изобретенном им типе энергонезависимой памяти на конференцию разработчиков электронных приборов IEDM в Сан-Франциско. Причем в сообщении Масуоки содержится описание сразу обеих главных современных архитектур flash-памяти: как NOR, так и NAND.
Флэш-память (будем в дальнейшем ее так, по-русски, и называть) отличается от обычной EEPROM тем, что запись (и стирание) в ней производятся целыми блоками, обычно равными классическому размеру сектора на жестком диске – 512 байтов. Это значительно ускоряет процесс записи, но одновременно придает флэш-памяти элементы устройства последовательного доступа, когда для перезаписи одного байта приходится перезаписывать целый блок. Для обычных применений флэш-памяти – в качестве носителей медиаинформации – это небольшой недостаток, к тому же она в этом отношении не отличается от жестких дисков. В такой схеме записи некий массив данных готовится заранее (помещается в специальный временный буфер SRAM, который имеется на том же кристалле, что и основная память), затем все нужные ячейки разом стираются, и разом же в них записывается информация из буфера. В современных типах флэш-памяти скорости чтения и записи практически сравнялись, а емкость отдельных устройств доведена до 32128 Гбайт и даже до 160–250 Гбайт для твердотельных жестких дисков.
Крупнейший недостаток флэш-памяти – ограниченное в сравнении с магнитными носителями или обычной памятью число циклов перезаписи информации, обычно на уровне нескольких десятков тысяч, в крайнем случае сотен тысяч. В жестком диске такой ресурс мог бы исчерпаться за несколько недель или месяцев. Для того чтобы обойти эту проблему, используют метод равномерного распределения записываемой информации по объему карты. В некоторых устройствах, имеющих собственный встроенный контроллер (твердотельные жесткие диски, карты Secure Digital, Compact Flash, USB-накопители), это обеспечивает само устройство, для других были созданы специальные файловые системы: exFAT для Windows и JFFS2 и YAFFS для GNU/Linux.