Действие обратной связи

Незнайкин. — С тех пор как твой дядюшка и ты сам рассказали мне о различных схемах на транзисторах, я испытываю любопытное ощущение: у меня такое впечатление, будто я прогуливаюсь по улице «полупроводниковых приборов», которая идет параллельно улице «электронных ламп». Обе улицы весьма похожи друг на друга, но когда начинаешь повнимательнее рассматривать здания, обнаруживаешь немало различий.

Любознайкин. — Не вижу ничего удивительного. Транзисторы должны выполнять те же самые функции, что и лампы. Ты уже знаешь, как они усиливают напряжения в разных диапазонах частот, и только что услышал, как устроены на них мощные каскады. Ты знаком с детектированием на полупроводниковых диодах и с различными способами осуществления отрицательной обратной связи.

Н. — Однако до сих пор ты не рассказал мне, как осуществляется в транзисторных схемах положительная обратная связь. Я помню, что в ламповых схемах для осуществления такой связи с выхода снимают часть усиленного тока и возвращают на вход посредством индуктивной связи между цепями анода и сетки.

Эта обратная связь неизменно заставляет меня думать о змее, кусающей себя за хвост… И я помню, что обратная связь позволяет увеличить коэффициент усиления, повышая тем самым чувствительность приемников. И если еще увеличить обратную связь, то начинается генерирование колебаний. Это явление используется не только в передатчиках для создания несущих токов ВЧ, но и в супергетеродинных приемниках для преобразования частоты посредством биений с токами, принятыми антенной.

Л. — Твоя память, мой дорогой друг, доставляет мне удовольствие и облегчит объяснения, которые я собираюсь дать.

Посмотри на эту схему, она совершенно аналогична ламповым схемам с обратной связью. Мы видим настроенный контур, включенный на вход транзистора между базой и эмиттером. С этими электродами контур соединен через конденсаторы, пропускающие переменные составляющие (рис. 160).

Рис. 160. Преобразователь частоты, в котором транзистор генерирует колебания, смешивающиеся с входными сигналами.

Учитывая малое входное сопротивление транзистора, параллельно ему включили лишь часть катушки настроенного контура, чтобы он не оказался слишком зашунтированным, что снизило бы его избирательность.

Н. — Я вижу, что токи обратной связи наводятся в этой катушке обмоткой, которая связана с нею и по которой протекает усиленный ток коллектора.

Л. — Совершенно верно. Видишь, насколько это похоже на создание обратной связи в схемах на лампах? Здесь также можно создать регенеративный детектор, сделав связь между двумя обмотками регулируемой и подав на базу смещение, при котором транзистор обеспечивал бы детектирование.

Н. — Я никогда не видел приемников на транзисторах, в которых перемешают катушку обратной связи для регулирования величины этой связи.

Л. — То, что некогда применялось в ламповых приемниках, уже не применяется в транзисторных. Обратная связь используется в них в основном для генерирования колебаний, необходимых для преобразования частоты. В этом случае на вход подключают настроенный контур, который получает принятые антенной колебания, а в выходную цепь включают настроенную первичную обмотку первого трансформатора промежуточной частоты.

Н. — Вот мы и подошли к схеме супергетеродина. Однако, прежде чем ты начнешь говорить о деталях, я хотел бы задать нескромный вопрос: можно ли на транзисторе сделать схему, аналогичную ламповой трехточке, где усиленный выходной ток протекает по части катушки колебательного контура?

Л. — Нет ничего проще. Ты видишь, что в этой схеме ток коллектора проходит по части катушки колебательного контура (рис. 161).

Рис. 161. Генератор по трехточечной схеме.

Автоматическая регулировка усиления

Н. — Когда мы говорили об обратной связи, я вспомнил об автоматической регулировке усиления. Здесь усиленные напряжения тоже снимаются после детектирования и направляются к усилительным лампам ВЧ или ПЧ, чтобы воздействовать на их переменную крутизну. Можно ли воспользоваться подобным средством в транзисторных схемах?

Л. — Вполне. Крутизна транзистора зависит от величины его эмиттерного тока. А та, в свою очередь, изменяется в зависимости от потенциала базы. Следовательно, прилагая на базу напряжения АРУ, изменяют коэффициент усиления транзистора, повышая его, когда вследствие замирания напряжения ВЧ в антенне становится слабее.