О. п. связаны с симметрией квантовых систем, т. е. с неизменностью (инвариантностью) их свойств при определённых преобразованиях, в частности координат и времени, и с соответствующими сохранения законами . Переходы с нарушением строгих законов сохранения (например, энергии, импульса, момента количества движения, электрического заряда и т.д. замкнутой системы) абсолютно исключаются.

Для излучателей квантовых переходов между стационарными состояниями атомов и молекул очень важны строгие О. п. для квантовых чисел J и mj , определяющих возможные значения полного момента количества движения М и его проекции Mz по правилам квантования:

,  ( — Планка постоянная , J и mJ — целые или полуцелые числа, причём mJ = J , J — 1,......, — J ; см. Квантовые числа ). Эти правила связаны с равноправием в пространстве всех направлений (для любой точки — сферическая симметрия) и всех направлений, перпендикулярных выделенной оси z (аксиальная симметрия), и соответствуют сохранению момента количества движения и его проекции на ось z . Из законов сохранения полного момента количества движения и его проекции для системы, состоящей из микрочастиц и из испускаемых, поглощаемых и рассеиваемых фотонов, следует, что при квантовом переходе J и mJ могут изменяться в случае электрического и магнитного дипольных излучений (см. Излучение электромагнитное) лишь на 0, ±1, а в случае электрического квадрупольного излучения (а также в случае комбинационного рассеяния света ) — на 0, ±1, ±2.

Другое важное О. п. связано с законом сохранения полной чётности для изолированной квантовой системы (этот закон нарушается лишь слабым взаимодействием элементарных частиц). Квантовые состояния атомов, всегда имеющих центр симметрии, а также тех молекул и кристаллов, которые имеют такой центр, делятся на чётные и нечётные по отношению к пространств. инверсии (отражению в центре симметрии, т. е. к преобразованию координат х' ® —х , у' ® —у , z' ® —z ); в этих случаях справедлив т. н. альтернативный запрет для излучательных квантовых переходов: для электрического дипольного излучения запрещены переходы между состояниями одинаковой чётности (т. е. между чётными или между нечётными состояниями), а для дипольного магнитного и квадрупольного электрического излучений (и для комбинационного рассеяния) запрещены переходы между состояниями различной чётности (т. е. между чётными и нечётными состояниями. В силу этого запрета можно наблюдать, частности в атомных спектрах астрономических объектов, линии, соответствующие магнитным дипольным и электрическим квадрупольным переходам, обладающим очень малой вероятностью по сравнению с дипольными электрическими переходами (т. н. запрещённые линии ).

Наряду с точными О. п. по J и mJ существенны приближённые О. п. при дипольном излучении атомов для квантовых чисел, определяющих величины орбитальных и спиновых моментов электронов и проекций этих моментов. Например, для атома с одним внешним электроном азимутальное квантовое число l , определяющее величину орбитального момента электрона Ml M 2l =

2 l (l + 1), может изменяться на ± 1 (Dl = 0 невозможно, т.к. состояния с одинаковыми l имеют одинаковую чётность: они чётные при чётном l и нечётные при нечётном l ). Для сложных атомов квантовое число L , определяющее полный орбитальный момент всех электронов, подчинено приближённому О. п. DL = 0, ±1, а квантовое число S , определяющее полный спиновый момент всех электронов (и мультиплетность k = 2S + 1), — приближённому О. п. DS = 0, справедливому, если не учитывать спин-орбитальное взаимодействие . Учёт этого взаимодействия нарушает последнее О. п., и появляются т. н. интеркомбинационные переходы, вероятности которых тем больше, чем больше атомный номер элемента.

Для молекул имеются специфические О. п. для электронных, колебательные и вращательные молекулярных спектров , определяемые симметрией равновесных конфигураций молекул, а для кристаллов — О. п. для их электронных и колебательных спектров, определяемые симметрией кристаллической решётки (см. Спектроскопия ).

В физике элементарных частиц, кроме общих законов сохранения энергии, импульса, момента количества движения, имеются дополнительные законы сохранения, связанные с симметриями фундаментальных взаимодействий частиц — сильного, электромагнитного и слабого. Процессы превращения элементарных частиц подчиняются строгим законам сохранения электрического заряда Q , барионного заряда В и, по-видимому, лептонного зарядаL , которым соответствуют строгие О. п.: DQ = DВ = DL = 0. Существуют также приближенные О. п. Из изотопической инвариантности сильного взаимодействия следует О. п. по полному изотопическому спину I , DI = 0; это О. п. нарушается электромагнитными и слабыми взаимодействиями. Для сильного и электромагнитного взаимодействий справедливо О. п. по странности S , DS = 0; слабые взаимодействия протекают с нарушением этого О. п.: |DS | = 1. Как было отмечено выше, в процессах, вызванных слабым взаимодействием, нарушается также закон сохранения пространственной чётности, справедливый для всех др. видов взаимодействий. Имеются и др. О. п. См. Элементарные частицы .

Об О. п. в ядерной физике см. Ядерная спектроскопия .

Лит. см. при статьях Атомная физика , Молекулярные спектры , Элементарные частицы .

М. А. Ельяшевич.

Отборто'вка, операция листовой штамповки , в результате которой пластической деформацией исходной плоской заготовки образуют борт по контуру заранее пробитого в ней отверстия или по внешнему контуру. В первом случае О. производят заострённым пуансоном в матрице за счёт изгиба и растяжения стенки заготовки вокруг заранее пробитого в ней отверстия, получают цилиндрический борт. Во втором случае борт по внешнему контуру заготовки получают методом штамповки резиной. Такой борт обычно имеет гофры (изгибы), для устранения которых требуется доводка вручную или в штампе.

Отва'л, насыпь на поверхности горного отвода, в которой размещаются пустые породы или некондиционное полезное ископаемое (удаляемое при разработке месторождений), хвосты обогатительных фабрик или шламы металлургических заводов. При открытой разработке месторождений полезных ископаемых О. подразделяют: по месту расположения — на внутренние (размещаемые в выработанном пространстве карьеров) и внешние (отсыпаемые вне карьеров); по рельефу местности — на равнинные и нагорные; по количеству ярусов отсыпки — на одноярусные и многоярусные; по способу механизации работ — на экскаваторные, плужные, абзетцерные, бульдозерные, гидравлические и комбинированные.

Строительство О. начинают с создания первоначальной (пионерной) отвальной насыпи, при этом используют драглайны, механические лопаты, абзетцеры, бульдозеры, скреперы. Отсыпку О. в процессе горных работ производят преимущественно полосами (заходками). Развитие О. по площади может быть параллельным, веерным, криволинейным и кольцевым; распространено параллельное или криволинейное перемещение фронта. Развитие отвального фронта от первоначального положения может быть односторонним и двусторонним. Основные геометрические параметры О.: площадь, высота и угол откоса. Большое значение придаётся устойчивости отвальных откосов, определяющейся взаимосвязанным влиянием инженерно-геологической обстановки и технологии отвалообразования, геологическим строением О. и основания (литологический состав пород, их структура и текстура, гипсометрия поверхности основания), водно-физическими и механическими свойствами отвальных пород, способом отвалообразования.

Высота О. мягких пород и пород средней крепости обычно не превышает 30 м . Сложенные крепкими породами О. имеют высоту до 60 м . В отдельных случаях (на косогорах, в ущельях) высота О. крепких пород достигает 300 м . При разработке месторождений подземным способом О. пустых пород на поверхности называется терриконниками. После окончания горных работ О. подвергают рекультивации.

Б. К. Александров, Б. А. Симкин.