«Н»: Но предложенный вами стабилизатор, дорогой Спец, не защищен ведь от короткого замыкания на выходе?

«С»: Вот именно для того, чтобы избежать последствий, в случае короткого замыкания выхода, я предлагаю следующее дополнение к ранее приведенной схеме (рис. 21.2).

«А»: Я так понимаю, что пока ток нагрузки (рис. 21.2, а) не превышает некоторый максимально допустимый, например 500 мА, падение напряжения на резисторе R13 недостаточно для отпирания VT1. Следовательно, его коллекторный ток можно считать равным нулю. Но в этом случае заперт и VT2. Следовательно, коллекторный ток VT2 так же равен нулю!

«С»: Верно! Ну, а в случае короткого замыкания на выходе?

«А»: В этом случае падение напряжения на Rдат превышает 0,6 В. VT1 переходит в состояние насыщения и его коллекторный ток «отопрет» транзистор VT2. В свою очередь, его коллекторный ток создаст на истоковом резисторе падение напряжения такой полярности, что это вызовет запирание полевого транзистора.

«С»: Процесс этот, прошу заметить, носит динамический характер. То есть максимальный ток, проходящий через проходной транзистор, очень просто подсчитывается по формуле:

Imах к.з. = 0.6•B/Rдат.

Таким образом при Rдат = 1 Ом, максимальный ток короткого замыкания буде равен 600 мА.

«А»: Действительно, VT4 будет работать в допустимом режиме по току.

«Н»: А если снять закоротку?

«С»: Стабилизатор немедленно восстановит нормальный режим работы. Предлагаемая схема в этом отношении является совершенно некапризной.

Кстати, есть прямой смысл заменить в приведенной схеме транзисторы VT3 и VT4 на один составной транзистор Дарлингтона (речь идет о рис. 21.1).

«А»: Я полагаю, это будет составной n-р-n– транзистор типа КТ825?

«С»: Совершенно верно! Помимо того, что у КТ825 сравнительно мало напряжение насыщения составной структуры (около 2 В), его максимальный ток составляет несколько ампер. Поэтому, уменьшив величину Rдат, не прибегая более ни к каким схемным изменениям, можно увеличить допустимый уровень тока нагрузки.

«Н»: А не будете ли вы столь добры представить схему стабилизатора на отрицательное напряжение?

«А»: Если никто не возражает, я сделаю это прямо сейчас (рис. 21.3).

«Н»: В этом стабилизаторе в качестве VT3 и VT4 тоже применяется составной транзистор?

«А»: Да, но типа КТ827. Он комплементарен Дарлингтоновскому транзистору КТ825.

«Н»: А сложно построить подобный стабилизатор?

«С»: Если строго соблюсти условия, которое я вам сейчас сообщу, то стабилизаторы, собранные по приведенным выше схемам, начинают работать сразу.

«А»: Интересно, в чем заключается это условие?

«С»: Обратите еще раз внимание на стабилизатор тока. Его ток стока должен быть установлен равным точно 0,2 мА. Тогда все остальные режимы устанавливаются АВТОМАТИЧЕСКИ!

«Н»: А как проще всего это сделать?

«С»: Обычно поступают следующим образом. Собирают отдельно вот такую элементарную цепь. Для ее питания достаточно обычной батарейки на 9 вольт (рис. 21.4).

«А»: В качестве измерительного прибора лучше всего использовать тестер.

«С»: Да, поставив его на предел 600 микроампер. Rист берется для начала, равным 3,3 кОм. Если ток измерительного прибора превышает требуемые 200 микроампер, то увеличивают Rист, проходя последовательно значения: 3,6 к; 3,9 к; 4,3 к; 4,7 к и т. д. Применяя транзисторы соответственных буквенных индексов, обычно при подборе требуется не более трех попыток.

«Н»: А какие буквенные индексы наиболее предпочтительны для рассматриваемой схемы стабилизатора?

«С»: Для транзисторов с p– каналом это: КП103И; КП103К; 2П103Б и 2П103В. Для n– канала можно выбирать такие транзисторы, как КП303Б, КП303В; КП303А; 2П303А (Б, В). То есть такие, паспортное значение Uотс, которых не превышает 3-х вольт.

«А»: А какого типа следует применять подстроечный резистор?