Обратите внимание на семейство ВЫХОДНЫХ характеристик биполярного транзистора. Очень любопытной является точка «А». Здесь резкое нарастание коллекторного тока (для фиксированного Uб-э = 0,7 В) при повышении Uк-э от 0 до, примерно, 0,4 В неожиданно и полностью изменяет свой характер! И при дальнейшем повышении коллекторного напряжения, от 0,4 до 10 вольт, коллекторный ток возрастает ВСЕГО на ОДИН миллиампер!

«Н»: А если повышать Uк-э дальше?

«С»: Ход выходной характеристики будет оставаться все таким же ровным и плавным! Правда, если мы вовремя не остановимся, то в конце — концов добьемся того, что достигнем напряжения пробоя, при котором произойдет резкое, внезапное и, увы, необратимое разрушение транзисторной структуры.

Поэтому для каждого типа транзистора существует строго оговоренное паспортное значение предельного коллекторного напряжения. Оно, в зависимости от предназначения, типа и индекса транзистора, находится в пределах от нескольких (обычно не менее 10) вольт до многих сотен и даже тысяч вольт!

«А»: А насколько изменяется положение точки «А» у такого разнообразия транзисторов? Я имею в виду численные значения напряжения «большого перелома»?

«С»: Это очень важный вопрос! Проекция точки «А» на абсциссу Uк-э соответствует одному из важнейших параметров транзистора — НАПРЯЖЕНИЮ НАСЫЩЕНИЯ. Иначе — Uк-э нас. Чем эта величина меньше, тем более качественным считается транзистор. Дело в том, что это также чисто внутренний, нерегулируемый схемотехнически параметр транзистора. Прежде у старых германиевых транзисторов, например П416, Uк-э нас = 1 В. У кремниевых высоковольтных (первых выпусков, например КТ605) этот параметр достигал 5–6 вольт.

У наиболее популярных и массовых, например КТ315, в зависимости от индекса, Uк-э нас варьируется от 0,1 до 0,3 вольт.

«А»: Ну, а у наиболее качественных?

«С»: Да вот, например, отлично зарекомендовали себя такие маломощные транзисторы, как КТ342, КТ3102, КТ3107, КТ349 и т. д. Для них характерно значение рассматриваемого параметра порядка: 0,06—0,1 вольт. Заметим также, что Uк-э нас уменьшается при уменьшении величины коллекторного тока.

«А»: Удивительно, что изменение напряжения Uб-э буквально на несколько десятков милливольт (при фиксированном Uк-э) оказывает такое крутое влияние на величину коллекторного тока!

«С»: Но самое главное, что варьируя потенциал Uб-э ПО НАШЕЙ ВОЛЕ, схемотехнически, мы приступаем к овладению фантастическими возможностями транзистора!

«Н»: Однако, на семействе выходных характеристик отмечен и такой параметр как НАКЛОН, если я не ошибаюсь?

«С»: Нет, Незнайкин, не ошибаешься! Наклон характеристики характеризуется отношением Iк/Uк-э. Существуют транзисторы, у которых этот наклон стремится к нулю! Или, можно сказать, отношение Uк-э/Iк — стремится к бесконечности!

Эта зависимость называется еще ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ ВЫХОДНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ и обозначается как rкэ(rсе).

rкэ = Uк/Iк | при Uб-э = const.

«Н»: А что представляет из себя параметр S?

«С»: Изменение коллекторного тока в зависимости от изменения напряжения база — эмиттер, получило определение КРУТИЗНА или S.

S = Iк/Uб-э| при Uк-э = const.

«А»: А теперь можем перейти к рассмотрению ПЕРЕДАТОЧНОЙ (переходной) ХАРАКТЕРИСТИКИ?

«С»: Вполне! Это очень наглядная характеристика, показывающая зависимость коллекторного тока от напряжения база — эмиттер. Но запомним, что при ФИКСИРОВАННОЕ Uк-э! Поскольку, если Uк-э варьируется, то в таком случае имеем СЕМЕЙСТВО переходных характеристик!

«Н»: Ну, а для чего тогда необходима ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА?