«А»: Именно так, уважаемый Спец! Я просто подумал, что современная технология производства полевых транзисторов дает значительный разброс параметров. Следовательно, для выбора оптимальных режимов каскадов, необходимо определять вышепоименованную тройку параметров для каждого конкретного образца транзистора, а это — хлопот не оберешься!

«С»: Все проще гораздо, в чем мы сейчас и убедимся! Рассмотрим ПЕРЕДАТОЧНУЮ (она же УПРАВЛЯЮЩАЯ) характеристику jFET (рис. 14.3, а).

Любезный Аматор, прокомментируйте нам вид изображенной кривой!

«А»: Точка «А» соответствует моменту, когда Uзи = 0, а ток стока максимален и равен, в нашем случае 10 мА. То есть это и будет Iсo или ТОК НАСЫЩЕНИЯ.

Точка «С» соответствует моменту, когда Uзи принимает такое значение, что ток стока примерно равен нулю! Иными словами, это и есть Uотс. Согласно рисунку, в нашем случае его величина равна — (-3 вольта). Но что такое точка «В»?

«Н»: Прошу прощения, но из этой характеристики я заключаю, что для представленной зависимости можно легко подсчитать крутизну S!

«А»: Сделай это…

«Н»: Охотно…

S = Ic/Uзи = 2 мА/0,3 В = 7 мА/В;

«С»: Отлично, Незнайкин!.. Но вернемся к точке «В». Она получается, если, совместив линейку с точкой «А», прочертить прямую, начало которой совпадает с ходом начального участка передаточной характеристики до ее пересечения с осью абсцисс (осью значений Uзи).

Наиболее впечатляющим является тот факт, что ВСЕГДА, для любых типов и индексов маломощных jFET, расстояние от начала координат до точки «В» будет меньше расстояния от начала координат до точки «С» РОВНО В ДВА РАЗА!

«А»: Потрясающе! Но ведь это означает, что, зная Uотс, и разделив эту величину пополам, мы можем определить S?

«С»: Да, это так!

«А»: То есть нам достаточно измерить только ДВА параметра, чтобы знать все ТРИ!?

«С»: Но и это еще не все! Легко показать, что, измерив Uотс и Iсo, мы можем весьма точно зарисовать ВЕСЬ ход передаточной характеристики!

«Н»: А что это нам дает?

«С»: Очень многое! Обратимся еще раз к нашей кривой! Чтобы не загромождать предыдущий чертеж, изобразим ее еще раз. Я отметил еще одну точку — «Е»! Ну, кто мне расскажет, чем она так любопытна, что заслужила отдельный рисунок (рис. 14.3, б)?

«А»: Если я правильно понял, то участок ЕА — это ПРЯМАЯ ЛИНИЯ, а участок ЕС — кривая. Ну и что из этого?

«С»: А из этого следует важнейшее для схемотехники полевых транзисторов следствие — ПРИ ПОСТРОЕНИИ ЛИНЕЙНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ, необходимо так выбирать рабочую точку, чтобы она располагалась ПОСЕРЕДИНЕ участка АЕ, а именно в точке «Л»! Только в этом случае усилитель не будет вносить нелинейных искажений! При этом, участок АЕ носит название КВАДРАТИЧНОГО!

«А»: Получается, что имея Uотс и Iсo мы можем определить и координаты точки «Е», которые в нашем случае соответствуют — 1 вольт и 4 мА.

«С»: Отсюда совсем уже просто определить координаты точки «Л». А что нам поведает по этому поводу Незнайкин?

«Н»: Только то, что точка «Л» определяется величинами Uл = — 0,5 В и током Iл = 7 мА. А вот как обеспечить нужный режим для реальной схемы?

«С»: Достаточно просто, как мы сейчас сможем убедиться (рис. 14.4)… Я изобразил эту схемку, чтобы показать, как «загнать» jFET в точку «Л», координаты которой нам так любезно сообщил Незнайкин. Прежде всего отметим, что: Uл — равно падению напряжения на Rи. Поскольку Ic = 7 мА, то:

Rи = Uи/Iс = 0,5 В/7 мА = 72 Ом;