«Н»: Здорово!.. И просто, поскольку из-за ничтожно малого тока затвора, падение напряжения на Rз = 0. Ну, я полагаю, что уж теперь-то мы всё рассказали о передаточной характеристике jFET!

«С»: Ой, Незнайкин, снова спешишь! В таком случае как ты прокомментируешь вот такое семейство передаточных характеристик (рис. 14.5)?

«Н»: Если вы, Спец, сказали СЕМЕЙСТВО характеристик, то это значит, что здесь речь идет не о разных, а об одном и том же jFET, но при разных температурах?

«С»: Верно! Но самое удивительное не то, что имеется зависимость передаточной характеристики jFET от температуры, а то, что существует точка, вольт-амперные координаты которой АБСОЛЮТНО не зависят от температуры окружающей среды!

«А»: А возможно определить координаты этой точки, не проводя реальных температурных испытаний для каждого конкретного транзистора?

«С»: Да, такая возможность имеется. Не прибегая к сложным расчетам, полезно запомнить следующее соотношение:

Uзи с = Uотс — 0,63 В. При этом у реальных jFET величина Iсс находится в пределах от 100 мкА до 500 мкА. Но и это еще не все!

«Н»: Да будет ли этому конец?

«С»: Точно такой же вопрос задал один прохожий путешественнику, когда они стояли у железнодорожного шлагбаума и ждали того момента, когда, наконец, закончит свое прохождение товарняк.

«А»: Интересно, и что же ответил путешественник?

«С»: Он ответил — никогда!

«А»: И чем он мотивировал подобный ответ?

«С»: Да тем обстоятельством, что на станции отправления к товарняку забыли прицепить последний вагон… А если без шуток, то jFET (впрочем как и MOSFET) допускает работу в режиме, который даже не рассматривается при анализе возможностей биполярного транзистора! А именно — в качестве управляемого сопротивления. При этом необязательно вообще подавать на сток какое-либо постоянное напряжение. Хотя и это не исключено! Но мы, пока что, не станем рассуждать на эту тему, а перейдем к семейству ВЫХОДНЫХ характеристик jFET.

«А»: А они что, сильно отличаются по внешнему виду от характеристик биполярного транзистора?

«С»: Да нет, я бы не сказал! А, впрочем, судите сами: Здесь представлено семейство выходных характеристик jFET, передаточную характеристику которого мы рассматривали раньше (рис. 14.6).

«Н»: А пунктирная линия, обозначенная как Uси нас — это напряжение насыщения сток-исток?

«С»: Ну конечно же! А вот теперь перейдем, наконец, к MOSFET!

«А»: Я встречал в справочниках по МОП-транзисторам такие термины, как ВСТРОЕННЫЙ КАНАЛ и ИНДУЦИРОВАННЫЙ КАНАЛ.

«С»: Вот о них-то и пойдет сейчас речь! Обратимся к следующему рисунку. Здесь изображен МОП-транзистор (MOSFET) ОБОГАЩЕННОГО типа, имеющий, так называемый, ИНДУЦИРОВАННЫЙ канал (рис. 14.7).

«А»: Означает ли это, что при равенстве потенциалов истока и затвора ток через транзистор протекать не будет?

«С»: Безусловно! Более того, даже подавая на затвор незначительное положительное (относительно истока) напряжение, мы эту ситуацию изменить не в состоянии! MOSFET — заперт!

Но, как известно, электроникой занимаются очень настойчивые люди! Мы продолжаем повышать потенциал (см. рис. 14.7, б). Не торопясь, плавно… И в какой-то момент… появляется ток стока!

Это означает, что некоторый положительный потенциал затвора через диэлектрик SiО2 навел (или индуцировал) канал проводимости n– типа, по которому электроны «двинулись» от истока к стоку!

«А»: Напряжение, которое создает канал проводимости, должно превысить некоторую величину, называемую ПОРОГОВОЙ. Может изобразить это графически?

«С»: Что мы и сделаем (см. рис. 14.8)! Вот здесь представлена УПРАВЛЯЮЩАЯ или ПЕРЕДАТОЧНАЯ характеристика некоего MOSFET с индуцированным каналом, пороговое напряжение которого (Un) равно, примерно 2 вольта. Дальше, я полагаю, можно не продолжать?