«С»: Для чувства комфорта, дорогой Незнайкин! В некоторых случаях удобно знать зависимость Uб-э от базового тока Iб. И, кроме того, при профессиональных расчетах параметров и режимов электронных узлов. Также для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной с входным источником напряжения, скажем…

При этом вводят такое понятие, как ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ:

rве(rбэ) = Uб-э/Iб  | при Uк-э = const.

И, наконец, мы говорили, что B = Iк/Iб. Помните?

«А»: Да, но мы говорили не о B, а о , насколько я помню?

«С»: А я именно потому и вернулся к этому вопросу! Повторение — мать учения! Итак, запишем:

= Iк/Iб; B = Iк/Iб

«Н»: А что, между ними есть разница?

«С»: Да как не быть? Вот типовая зависимость коэффициентов статического и динамического усиления по току от величины коллекторного тока для маломощного транзистора (см. рис. 13.9).

Кстати, уточним на всякий случай, что:

= Iк/Iб | при Uк-э = const!

«Н»: Ну, наконец, мы кое-что знаем о транзисторе!

«С»: Ты уверен? Информация к размышлению: полное количество параметров транзистора превышает СЕМЬСОТ!

«А»: Я не думал, что так много! Но ведь в практической схемотехнике применяется много меньше?

«С»: Немногим более двух десятков!.. Но, друзья мои, пора переходить к ВЫСОКОЧАСТОТНЫМ параметрам транзистора!

«А»: Насколько я знаю, существует частотная зависимость коэффициента усиления по току для реальных транзисторов. И она определяется не в последнюю очередь их технологическими параметрами. Такими, как толщина базы, площади р — n-переходов и все такое прочее.

Ну и, кроме того, наличием паразитных емкостей.

«С»: Абсолютно верно! Я бы только сказал, что технологические параметры определяют высокочастотные свойства транзисторов В ПЕРВУЮ ОЧЕРЕДЬ!

Полезно и даже необходимо принять во внимание еще несколько параметров. Например, f.

f — это частота, при которой коэффициент усиления транзистора по току уменьшается на 3 дБ. Наряду с f используется и частота fT. Это такая частота, при которой коэффициент усиления по току = 1. Они связаны следующим соотношением:

fT = •f

Употребляется еще и такой параметр, как fs — граничная частота крутизны транзистора:

fS = 10•f

Отмечают также и максимальную частоту генерации fmax, которая, примерно, вдвое выше, чем fT.

«А»: А что такое частота f?

«С»: Достаточно запомнить, что f = fT! f — это граничная частота усиления в схеме с ОБ, a f — граничная частота усиления в схеме с ОЭ.

«А»: Так вот почему в разработках прежних лет так широко использовались схемы высокочастотных каскадов, использующих конфигурацию с общей базой!

«С»: Да, пока не появились современные высокочастотные транзисторы, у которых fT достигает нескольких ГИГАГЕРЦ, что дает возможность использовать преимущества схем с ОЭ в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц!

«А»: Часто приходится встречать упоминание о так называемом ЭФФЕКТЕ МИЛЛЕРА. Что это такое?

«С»: Дело в том, что в реальных схемах образуются паразитные емкости: С1 — монтажа и подводящих цепей; С2 — емкость эмиттер — база; С3 — емкость коллектор — база и С4 — емкость коллектор — эмиттер. Все это приводит к появлению емкости, называемой ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ВХОДНОЙ ЕМКОСТЬЮ схемы С$.

Cs = C1 + C2 + |A|C3.